商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 單管
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-263-7L
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開(kāi)關(guān)行為。
應(yīng)用領(lǐng)域
IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景,包括:
太陽(yáng)能逆變器
開(kāi)關(guān)模式電源
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
DC/DC轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施
感應(yīng)加熱
技術(shù)參數(shù)
封裝 / 箱體:TO-263-7L
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:41 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:104 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 5 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
Qg-柵極電荷:53 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo):IXYS
配置:Single
下降時(shí)間:9.5 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產(chǎn)品:MOSFETs
產(chǎn)品類(lèi)型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:14.4 ns
系列:IXSA40N120L2-7
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
類(lèi)型:SiC MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:5.6 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開(kāi)關(guān)能力,電流范圍為66A。高開(kāi)關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開(kāi)關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下:特點(diǎn)經(jīng)過(guò)優(yōu)化用于低開(kāi)關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用,具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:-配置:?jiǎn)温冯妷?- 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce…IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極晶體管),屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):1.18 kA不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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