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商品名稱(chēng):二極管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:BG-D11126K-1
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
D4810N28TVF是整流二極管盤(pán)裝配在高可靠性、堅(jiān)固耐用和密封的陶瓷外殼中,直徑 111 毫米,高 26 毫米。
D4810N28TVF 的特性
在寬溫度范圍內(nèi)具有 50/60 Hz 的全阻斷能力
高直流阻斷穩(wěn)定性
高浪涌電流能力
密封陶瓷封裝
高外殼無(wú)突波電流
D4810N28TVF 的優(yōu)點(diǎn)
高可靠性可最大限度地減少維護(hù)和停機(jī)時(shí)間
通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)的特殊設(shè)計(jì),輕松實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功率擴(kuò)展
D4810N28TVF 的規(guī)格
技術(shù) 標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值) 2800 V
電流 - 平均整流 (Io) 4810A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf) 1.078 V @ 4000 A
速度 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏 200 mA @ 2800 V
不同 Vr、F 時(shí)電容 -
安裝類(lèi)型 底座安裝
封裝/外殼 DO-200AE
供應(yīng)商器件封裝 -
工作溫度 - 結(jié) -40°C ~ 150°C
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…F3L600R10W3S7
F3L600R10W3S7是一款EasyPACK? 4B 950 V、600 A三電平IGBT 模塊,具有 TRENCHSTOP? IGBT7和1200 V CoolSiC?肖特基二極管。特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)F3L600R10W3S7的特點(diǎn)帶三個(gè)基板EasyPACK? 4B具有四個(gè)快速開(kāi)關(guān)的ANPC拓?fù)?50 V IGBT7和1200 V SiC二極管優(yōu)化雜散電感改進(jìn)Easy模塊壓裝…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線(xiàn)電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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