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IPD70R600P7S是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET，屬于 CoolMOS? P7 系列，采用 TO-252-3（DPAK）封裝，適用于高壓、高頻開關(guān)應用，如 電源適配器、充電器、工業(yè)電源和電機驅(qū)動 等領域。

IPD70R600P7S核心特性

高耐壓與低導通電阻

600V 擊穿電壓（VDSS），適用于高壓應用。

7mΩ 超低導通電阻（RDS(on) @10V），減少功率損耗，提高效率。

高速開關(guān)性能

低柵極電荷（Qg = 120nC），優(yōu)化開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。

優(yōu)化的 Eon/Eoff 能量，適用于高頻 PWM 控制電路。

優(yōu)異的熱性能

結(jié)溫范圍 -55°C ~ +175°C，適應嚴苛工作環(huán)境。

低熱阻（RthJC = 2.9 K/W），提高散熱效率。

集成保護功能

內(nèi)置齊納二極管，增強 ESD 防護（HBM 2 級）。

優(yōu)化的 VGS(th) = 3V ±0.5V，確保穩(wěn)定驅(qū)動。

IPD70R600P7S產(chǎn)品屬性

系列：CoolMOS? P7  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 8.5A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） ：10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 600 毫歐 @ 1.8A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.5V @ 90μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） ：10.5 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±16V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 364 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 43W（Tc）  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-TO252-3 

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