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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

NGW75T65H3DFQ

產(chǎn)品說明：650 V，75 A 溝槽型場截止IGBT，帶全額定硅二極管

封裝：TO-247-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGIPNS4C60T-H
ST

產(chǎn)品說明：SLLIMM nano IPM、5 A、600 V、三相逆變橋 IGBT

封裝：NSDIP-26
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGY40NC60VD
ST

產(chǎn)品說明：N溝道600 V、50 A超快PowerMESH V系列IGBT

封裝：Max247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB10NC60HDT4
ST

產(chǎn)品說明：600 V、10 A超快PowerMESH IGBT 晶體管

封裝：D2PAK-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ATTINY816-MNR

產(chǎn)品說明：AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB（8K x 8） 閃存 20-VQFN（3x3）

封裝：VQFN-20
10起
6000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD70R600P7S

產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 700 V 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3

封裝：PG-TO252-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BQ25703ARSNR
TI

產(chǎn)品說明：具有系統(tǒng)功率監(jiān)控器和處理器的 I2C 1 至 4 節(jié) NVDC 降壓/升壓電池充電控制器

封裝：WQFN-32
10起
9000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ADM487EARZ
ADI

產(chǎn)品說明：5 V、128節(jié)點(diǎn)、±15 kV ESD保護(hù)、250kbps半雙工收發(fā)器

封裝：SOIC-8
10起
80000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TJA1145T
NXP

產(chǎn)品說明：局部聯(lián)網(wǎng)的高速CAN收發(fā)器

封裝：SO14
10起
7500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS628501QDRLRQ1
TI

產(chǎn)品說明：采用 SOT-5X3-8 封裝的汽車級 2.7V 至 6V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器

封裝：SOT-5X3-8
10起
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LB11600JV-TLM-E
ON

產(chǎn)品說明：電機(jī)驅(qū)動器 PWM 4.5V-14V 30-SSOP

封裝：SSOP-30
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PAFSC5G35E37R9
NXP

產(chǎn)品說明：5G/LTE 功率放大器模塊，專為 5G 和 LTE 通信設(shè)備設(shè)計(jì)

封裝：HLQFN-26
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TJA1043T
NXP

產(chǎn)品說明：具備待機(jī)和睡眠模式的高速CAN收發(fā)器

封裝：SOP-14
10起
40000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGHU30M65DF2AG
ST

產(chǎn)品說明：650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT

封裝：HU3PAK-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60V60DF
ST

產(chǎn)品說明：600 V、60 A超高速溝槽柵場截止IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60H65DFB
ST

產(chǎn)品說明：650 V、60 A高速溝槽柵場截止HB系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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